在戶外監測、國防偵察、柔性電子等關鍵領域,光電探測材料作為核心感知元件,其性能水平直接決定了相關設備的功能邊界與應用范圍。傳統光電探測材料普遍存在兩大技術瓶頸:一是光譜響應范圍受限,僅能對某一波段的光信號實現有效探測;二是環境穩定性不足,在溫度波動、濕度變化等復雜條件下性能易衰減,嚴重制約了其在嚴苛場景中的規模化應用。近期,韓國研究團隊在ACSNano(2025年,第19卷)發表的研究成果,成功開發出一種可覆蓋可見光至長波紅外波段的全光譜光電探測材料——二維SnSe?.?Te?.?拓撲晶體絕緣體,為突破上述瓶頸提供了創新性解決方案。

制備工藝創新:一步法溶液合成策略的技術突破
傳統光電探測材料的制備常面臨工藝復雜、摻雜過程難控、制備周期長等問題,而該研究團隊提出的一步法溶液合成策略,實現了材料制備與元素摻雜的同步完成,顯著簡化工藝流程并提升產品一致性,其核心步驟可分為以下三階段:
1.前驅體薄膜制備
首先將單源前驅體Sn?(dmamp)?Se?溶解于二甲基甲酰胺(DMF)溶劑中,配制形成均勻的前驅體溶液;隨后采用旋涂技術,將該溶液均勻涂覆于經親水處理的SiO?/Si襯底表面,最終形成厚度均一的前驅體薄膜,為后續反應提供穩定的基底結構。
2.同步熱處理與Te元素摻雜
將承載前驅體薄膜的襯底置于石英管式爐內,在300℃的氬氣保護氣氛下進行熱處理(氬氣可有效防止材料氧化)。關鍵創新點在于,團隊在管式爐上游區域放置Te粉末,利用Te的熱蒸發特性提供穩定的Te原子源,使SnSe的熱分解反應與Te原子的等效替代摻雜同步發生,精準調控材料的化學組成。
3.目標材料成型
經過30分鐘的熱處理與摻雜過程,最終在襯底上形成二維結構的SnSe?.?Te?.?拓撲晶體絕緣體。該拓撲結構賦予材料獨特的電子傳輸特性,為其全光譜響應能力奠定了微觀結構基礎。
核心性能優勢:全光譜響應、高穩定性與柔性的協同突破
二維SnSe?.?Te?.?材料在光響應范圍、環境適應性與機械性能方面均展現出顯著優勢,全面超越傳統光電探測材料,具體表現如下:
1.全光譜響應特性與優異的光電性能
該材料打破傳統材料的單波段探測局限,在可見光、近紅外、短波紅外及中波紅外波段均實現有效光響應,可滿足多場景下的復合光信號探測需求。從關鍵性能參數來看:
響應度:在1064nm波長下,響應度高達11.17A/W(響應度為表征材料將光信號轉化為電信號效率的核心指標,該數值顯著高于傳統同類材料);
探測率:最高探測率達1.07×1012Jones(探測率是衡量材料識別微弱光信號能力的關鍵參數,此水平可滿足低光強環境下的高精度探測需求)。
2.極端環境下的高穩定性
針對戶外、國防等場景的溫濕度波動挑戰,該材料通過拓撲晶體結構與Te元素摻雜的協同作用,展現出優異的環境耐受性:
耐高溫性能:在513K(約240℃)的高溫環境中,材料的核心光電參數(如響應度、探測率)無明顯衰減,可適應高溫作業場景;
耐高濕性能:在相對濕度(RH)達90%的高濕環境下,材料性能保持穩定,解決了傳統光電材料因吸濕導致性能下降的技術痛點。
3.卓越的機械柔性
隨著柔性電子技術的發展,光電器件對材料的柔性要求日益提升。該材料可承受5mm彎曲半徑下的萬次循環彎曲測試,且彎曲后光電性能無損傷,能夠適配曲面結構的器件設計,為柔性紅外成像、可穿戴傳感設備等新興領域提供核心材料支撐。
規模化應用潛力:尺寸與制備效率的雙重優勢
材料的尺寸與制備效率是決定其工業化應用的關鍵因素。對比當前主流拓撲光電材料(如Bi?Se?、Bi?Te?、NiBi?Te?等),傳統材料的尺寸普遍局限于100μm量級,難以滿足大面積器件的制備需求;而該研究制備的SnSe?.?Te?.?材料,最大尺寸可達6英寸,且制備周期僅需30分鐘(傳統材料制備常需數小時),大幅降低了規?;a的時間成本與工藝難度。
此外,通過X射線光電子能譜(XPS)與拉曼光譜表征分析,證實了材料中Sn、Se、Te元素的均勻分布及晶體結構的完整性,從微觀層面保障了材料性能的一致性與穩定性,為其工業化應用提供了技術保障。
應用場景拓展:多領域的技術賦能與價值提升
基于二維SnSe?.?Te?.?材料的全光譜響應、高穩定性與柔性特性,其在多個關鍵領域具有明確的應用前景:
1.紅外成像領域
材料的全光譜響應能力使其可在晝夜交替、復雜氣象(如霧、雨)條件下實現高清紅外成像,可應用于安防監控、航空航天偵察、工業無損檢測等對成像精度與環境適應性要求較高的場景。
2.人體感應監測領域
結合柔性特性與高探測率,該材料可作為可穿戴健康監測設備的核心傳感元件,實時捕捉人體紅外信號,輔助實現體溫、呼吸頻率等生理參數的精準監測,為智慧醫療領域提供技術支撐。
3.柔性電子器件領域
作為柔性光電系統的核心感知材料,其可集成于柔性顯示屏、柔性傳感器、可穿戴智能設備中,實現光信號的精準感知與轉換,推動柔性電子設備向“多功能、高集成”方向發展。
二維SnSe?.?Te?.?拓撲晶體絕緣體的研發,不僅突破了傳統光電探測材料的光譜響應局限與環境穩定性瓶頸,更通過一步法合成工藝與大尺寸制備技術,為其工業化應用奠定了基礎。該材料的出現,標志著光電探測技術向“全光譜、高穩定、柔性化”方向邁出關鍵一步。
未來,若能進一步優化材料在長波紅外波段的響應效率與穩定性,并拓展低成本量產工藝,二維SnSe?.?Te?.?材料有望在戶外監測、國防安全、柔性電子、智慧醫療等領域實現廣泛應用,為相關產業的技術升級提供核心材料支撐。
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